表面氢化降低SiC／金属接触间界面态密度的机理

来源 :电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：initialD2004

【摘要】

：

研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理.采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度.该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想

【作者】

：

罗小蓉张波李肇基

【机构】

：

电子科技大学微电子与固体电子学院

【出处】

：

电子科技大学学报

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

氢化极性界面态接触电阻理想因子 hydrogenation polarity surface state contact resistance

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研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理.采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度.该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想因子为1.20～1.25的6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻为(5～7)×10-3Ω·cm2.表面氢化处理的优点在于避免了欧姆接触所需的800～1 200℃的高温合金,降低了工艺难度,改善了肖特基结的电学特性.

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