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一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层，作为低成本的简单方法，可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。
自对准阻挡层提高互连可靠性
【摘 要】
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一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层，作为低成本的简单方法，可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。
【机 构】
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NovellusSystemsInc.
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2008年7期
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