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综述反应烧结制备Si3N4-SiC耐火材料的工艺、Si3N4的生长机理和Si的氮化动力学研究,并结合Si的氮化反应,对耐火砖烧制过程的温度场模拟的可行性进行了细致分析,提出通过对温度场的数值模拟,可严格控制耐火砖的烧制进程,进而改善产品质量和优化炉窑工艺参数,达到节能降耗的目的.
Si3N4的生长动力学研究及其烧制温度场模拟
【摘 要】
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综述反应烧结制备Si3N4-SiC耐火材料的工艺、Si3N4的生长机理和Si的氮化动力学研究,并结合Si的氮化反应,对耐火砖烧制过程的温度场模拟的可行性进行了细致分析,提出通过对温
【机 构】
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中南大学能源科学与工程学院
【出 处】
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锅炉制造
【发表日期】
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2006年2期
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