硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究

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【摘要】

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采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜,分析了样品的结构,研究发现3类样品均存在较强的光吸收,对于Ge-SiO2薄膜观

【作者】

：

吴雪梅董业民诸葛兰剑叶春暖汤乃云俞跃辉宁兆元姚

【机构】

：

苏州大学物理系,中国科学院上海冶金所离子束开放实验室

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

：

硅基氧化物薄膜结构光吸收特性 films structure absorption

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜,分析了样品的结构,研究发现3类样品均存在较强的光吸收,对于Ge-SiO2薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的.而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象,这可能是由于样品中的杂质或缺陷等受到限域作用的结果.

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