论文部分内容阅读
为探讨其晶化过程及动力学机理,本文采用磁控溅射技术制备Al/Si薄膜,并利用快速光热退火制备微晶硅。通过采用不同的衬底温度及对铝膜进行退火处理,探究其晶化动力学过程。利用拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征。结果表明:退火及衬底加热均能在界面形成非共融的硅铝化合物;延长退火时间能使Al/Si界面充分扩散,达到成核条件。较大的铝晶粒及其择优取向,能有效改善铝诱导晶化效果。