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P.Bergvld在1970年发现将Mos场效应管的绝缘层栅siO2或Si3N4与溶液相接触,能对H+产生Nernst响应。随后到1975年S.D.Moos利用PVC膜离子选择敏感材料涂层于上述场效应管绝缘层栅上,制备成功了各种类型的离子选择性场效应管敏感器件（总称ISFET）。近年来国外许多学者研制PVC膜pH电极获得较宽线性范围和较好的选择性。