在TEA-CO2强激光脉冲作用下Hg0.8Cd0.2Te晶片表面的组分变化

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lichlei

【摘要】

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利用场发射扫描电子显微镜对TEA-CO2强激光脉冲辐照的Hg0.8Cd0.2Te晶片表面进行了观察，并利用电镜自带的能谱分析仪对其表面进行了成分分析．在单脉冲能量为1．91J，峰值功率密度为2

【作者】

：

蔡虎程祖海朱海红左都罗

【机构】

：

华中科技大学激光技术国家重点实验室

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

碲镉汞组分变化激光辐照 TEA-CO2脉冲激光 HgCdTe component change laser irradiation TEA-CO2 p

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利用场发射扫描电子显微镜对TEA-CO2强激光脉冲辐照的Hg0.8Cd0.2Te晶片表面进行了观察，并利用电镜自带的能谱分析仪对其表面进行了成分分析．在单脉冲能量为1．91J，峰值功率密度为2．63×10^7W／cm^2的脉冲CO2激光辐照下，晶片表面呈现出熔融迹象，且晶片表面的化学组分比发生明显的变化．理论与实验研究结果表明：激光急速加热使晶体表面的Hg-Te键破坏，从而导致Hg损失，而Hg损失程度与热作用过程的时间有关．随着脉冲作用次数的增加，多脉冲的连续作用使Hg损失加剧，晶片表面成分变化

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