稀土正硅酸盐—Y_2SiO_5单晶体的提拉法生长

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用提拉法晶体生长工艺已成功地生长出正硅酸盐—Y2SiO5单晶体。使用设备是一台中频感应加热炉。文中讨论了高光学质量掺Eu离子Y2SiO5单晶体的生长工艺,已生长的晶体毛坯直径达35mm,长130mm、质量为460g、光学质量良好。 Orthosilicate-Y2SiO5 single crystal has been successfully grown by Czochralski crystal growth process. The equipment used is a medium frequency induction heating furnace. In this paper, the growth process of high optical quality doped Eu2 + Y2SiO5 single crystal is discussed. The diameter of grown crystal blank is 35mm, length 130mm, mass 460g, and the optical quality is good.
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