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为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态，利用强流脉冲电子束（HCPEB）技术对单晶硅进行了辐照处理，并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析．实验结果表明，HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构，互相下行的螺位错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构；同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷，幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因．此外，HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非晶混合结构．