Raman Back-scattering study of Damaged and Strain Subsurface Layers in GaAs Wafers

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The damaged and strain subsurface layers of semi-insulating(SI) GaAs substrate were characterized non-destructively by Raman back-scattering.The study shows that the thicknesses of the damaged and strain layers are less than 3μm.The damaged and strain layer can be removed after being etched in H2SO4·H2O2·H2O for 1.5 min.
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