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本文介绍了薄膜体声波谐振器（FBAR）的基本原理和几种主要结构。讨论了FBAR薄膜生长的工艺过程,并给出了本实验各层薄膜的生长条件,本试验所制作的FBAR采用固态装配型结构,经测量得FBAR的谐振频率为1.7GHZ。最后根据FBAR谐振频率随着电压变化的特性设计出基于FBAR的Colpitts压控振荡器,解决了由于在压控振荡器中使用变容二极管作为调频元件所引入大量的噪声造成振荡器整体性能降低的问题。