【摘 要】
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基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170W和沉积压强为200,250,300,350,400Pa两组参数沉积富硅-SiN
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51262022,21663018)
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基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170W和沉积压强为200,250,300,350,400Pa两组参数沉积富硅-SiNx薄膜.结果表明,薄膜的致密性和沉积速率与射频功率和沉积压强都有关系,射频功率的增加导致光学带隙值变大,而光学带隙值与沉积压强成非线性关系,其二者的光学带隙值均在硅与Si3N4薄膜的光学带隙值之间.射频功率的增加,导致反应室中N—N键断裂更加完全,与硅原子结合形成大量的Si—N键,而薄膜中的Si原
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