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以现在应用较广泛的电子器件-MOS器件在电磁环境中的失效建模为例,针对MOS器件受到电磁脉冲和周期脉冲的冲击后,所表现出来的失效特征,得出它符合基于随机过程的退化失效模型所描述的结论。根据结论和两种电应力的特点,分别提出基于随机过程的失效建模和动态应力-强度干涉建模。通过模型的建立和分析,初步制定出电子器件失效的试验方案。