InP/InGaAs p-i-n/HBT单片跨阻抗型光电接收器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mm963258
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《IEEE Photonics Technology Letter》1990年7月号报道了首次研制的长波长InP/InGaAs p-i-n/HBT光电单片集成电路跨阻抗型(Transimpedance)光电接收器.该接收器将pin光电检测器和低噪声前置放大器集成在一个单片上,电路包含一个pin管,3个HBT(异质结双极晶体管)和5个电阻.pin光电二极管的电信号由2个HBT跨阻抗放大, The first-ever development of a long-wavelength InP / InGaAs pin / HBT optronics monolithic Transimpedance photodetector was reported by the IEEE Photonics Technology Letter in July 1990. The receiver combines a pin photodetector and a low noise The preamplifier is integrated on a single chip that contains a pin tube, three HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) and five resistors. The electrical signal from the pin photodiode is amplified by two HBT transimpedance amplifiers,
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