不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：daihongjun2

【摘要】

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研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响.透射电子显微镜和原子力显微镜表明,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs

【作者】

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王晓东刘会(X) 牛智川封松林

【机构】

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中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083;

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2000年11期

【关键词】

：

量子点盖层应力红移

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研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响.透射电子显微镜和原子力显微镜表明,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小,并且x＝0.3时,InGaAs在InAs量子点上继续成岛.随x值的增大,量子点的光荧光峰红移,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显.理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因.

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