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利用剂量为1013 cm~1016 cm-2,能量为0.4 Mev~1.8 Mev的电子束辐照Poly-SiO2/Si结构,对辐照后样品进行了C-V特性曲线测试.测试结果表明,高能电子束辐照Poly-SiO2/Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加而发生漂移,但其漂移量低于同一实验环境中干氧氧化生长的SiO2/Si结构.