【摘 要】
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GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs（001）表面重构的研究成果,
【机 构】
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贵州财经大学教育管理学院,贵州大学理学院,贵州师范大学物理与电子科学学院
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GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs（001）表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs（001）表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C（4×4）重构、不同（2×4）重构到逐渐富Ga的（n×6）重构、（4×2）重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒
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