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氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶，原生晶体经化学腐蚀，观察不到缺陷，包括微缺陷。但当块状热处理后，经腐蚀常常观察到尺度ｍｍ数量级的氢致缺陷（ 型缺陷、麻坑）和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷，原生单晶需片状供应，片厚应小于１ｍｍ，或中照后的区熔（氢）硅单晶，片状，９４０℃、０．５ｈ退火，均能消除之。在电力电子器件的应用中，管芯等级合格率可保持在８０％以上