碳化硅功率器件及其应用的最新研发进展

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本文基于最近几年发现的新效应和创新设计,综合评述了4H-SiC功率器件:MOSFET、IGBT、SiCGT和PiN二极管的最新研发进展,包括研发过程遇到的主要技术难题,器件特性和初步应用。实验初步验证,SiC功率器件具有高效节能和实现高功率密度的能力。
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