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放电深度（ＤＯＤ）、放电速率、循环次数对ＭＨ－Ｎｉ电池的记忆效应影响在，经过几次全充放循环可以消除记忆效应，记忆效应的存在与Ｚｎ无关，电池在低ＤＯＤ循环过程中，其放电电位，放电容量一开始下降很快，然后逐渐趋于某一值，并且放电电流越小，相应的最高充电电压越低，若放电电流增加，在随后的第一周充放电过程中最高充电电压迅速增加，放电容量显著小于隐定值，最后探讨了导致记忆效应的原因，并给出了若干消除或减弱记忆效应的设想。