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放电深度(DOD)、放电速率、循环次数对MH-Ni电池的记忆效应影响在,经过几次全充放循环可以消除记忆效应,记忆效应的存在与Zn无关,电池在低DOD循环过程中,其放电电位,放电容量一开始下降很快,然后逐渐趋于某一值,并且放电电流越小,相应的最高充电电压越低,若放电电流增加,在随后的第一周充放电过程中最高充电电压迅速增加,放电容量显著小于隐定值,最后探讨了导致记忆效应的原因,并给出了若干消除或减弱记忆效应的设想。