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SOI/SDB超薄膜全耗尽隐埋n沟MOSFET的解析模型
SOI/SDB超薄膜全耗尽隐埋n沟MOSFET的解析模型
来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hello_junz
【摘 要】
:
本文给出了基于SDB材料的无PN结超薄膜全耗尽隐埋n沟型MOSFET的较明确的物理模型,详细分析了它的导电机理,给出了解析表达式.并将本模型的计算结果与实验结果进行了比较,同时
【作 者】
:
陈军宁
童勤义
【机 构】
:
东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018
【出 处】
:
电子学报
【发表日期】
:
1993年8期
【关键词】
:
阈值电压
SOI硅膜
耗尽层
功率函数
Work-function difference
Threshold voltage
Active SOI silico
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本文给出了基于SDB材料的无PN结超薄膜全耗尽隐埋n沟型MOSFET的较明确的物理模型,详细分析了它的导电机理,给出了解析表达式.并将本模型的计算结果与实验结果进行了比较,同时进行了一些讨论.
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