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通过控制高压腔内的温度，压力梯度合成了粒径３００～５００μｍ的片状立方氮化硼（ｃＢＮ）单晶体，通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩莠掺杂，获得了具有半导体电性的立方氮化硼材料并测试了其Ｖ－Ａ特性。
片状立方氮化硼合成及其导电特性研究
【摘 要】
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通过控制高压腔内的温度，压力梯度合成了粒径３００～５００μｍ的片状立方氮化硼（ｃＢＮ）单晶体，通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩莠掺杂，获得了具有半导体电性的立方氮化硼材料并测试了其Ｖ－Ａ特性
【机 构】
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吉林大学超硬材料国家重点实验室,130023,1300
【出 处】
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高压物理学报
【发表日期】
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1998年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金!69576012
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