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采用MOCVD工艺制备具有应变平衡量子阱结构GalnP／Ga（In）As／Ge三结太阳电池的方法。及量子阱结构对中间电池的光谱响应的改善。从而使GalnP／Ga（In）As／Ge三结太阳电池各子电池电流匹配设计更为合理。揭示了量子阱结构提高GalnP／Ga（In）As／Ge三结级联太阳电池光电转换效率的可能性。