【摘 要】
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磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层. 利用磁控溅射方法在表面有300 nm 厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜. 采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖
【机 构】
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北京科技大学材料物理系,中国科学院半导体研究所
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磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层. 利用磁控溅射方法在表面有300 nm 厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜. 采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析, 并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析. 结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应: 15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3, 该反应使得界面有"互混层"存在, 从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.
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