论文部分内容阅读
根据p型硅和n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件，利用硼离子选择注入，在n型硅片上的局部微区域，形成易于腐蚀的P型硅，用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列．省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺，克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点，通过AFM，SEM测试，证明该方法的效果很好．