【摘 要】
：
在作为绝缘层的BaTiO_3陶瓷基片上,采用二硫化碳作为硫源,用MOCVD法生长的ZnS:Mn发射层,业已制成ZnS:Mn 薄膜电致发光器件。ZnS:Mn发射层厚度为170纳米的电致发光器件,施加电
论文部分内容阅读
在作为绝缘层的BaTiO_3陶瓷基片上,采用二硫化碳作为硫源,用MOCVD法生长的ZnS:Mn发射层,业已制成ZnS:Mn 薄膜电致发光器件。ZnS:Mn发射层厚度为170纳米的电致发光器件,施加电压(正弦波,5千赫)为7伏时,以及发射层厚度为400纳米、施加电压为20伏时,所得到的亮度为1尼特。本文达到的最高亮度和发光效率分别为6300尼特及约11流明/瓦。有一个器件在60赫,100伏电压的驱动下,其亮度为200尼特。
其他文献
<正> 1.前言作为在微弱光量下进行图象测量探测器(摄象管)的代表,可能会提到SIT管(Silicon Intensified Target)。SIT管的摄象极限,通常为10~(-4)lx量级,这种极限,已接近人眼
由于点矩阵液晶显示具有薄型、重量轻及驱动电压很低的特点,人们对其持有很大的期望,本文将超扭曲向列液晶显示(STN LCD)的特性与一般的扭曲向列液晶显示(TN LCD)做了比较,并
本文叙述了陶瓷金属化批量生产实用工艺技术。重点介绍了涂膏工艺、绕结工艺及镀镍工艺。经过实践验证,工艺的适应范围较广,在科研和生产中具有实用性。
本文主要介绍在红外热电视象管中,采用硫酸三(月甘)肽(TGS)网格化靶的结构、工艺。采用TGS 网格化靶制成的红外热电视象管,空间分辨率得到有效的改善。
本文主要介绍了一种透射式电致变色器件的结构和其基本工作原理,并对不同尺寸器件的响应特性、光学特性、存贮特性及循环寿命进行了测量和分析。
<正> 本文就薄膜晶体管(TFT:Thin-Film Transistor)及其应用,特别是以非晶硅(aSi)为主的半导体材料、物理性质、器件结构,制造工艺、工作原理、特性和 TFT 液晶显示器件(LCD)
本文介绍在875℃温度下,99%氧化铝陶瓷与无氧铜的无焊料直接接触的一种封接方法.在真空、温度的作用下,陶瓷与金属之间藉助于铜表面本身形成的液相活性合金,润湿陶瓷而获得牢
本文叙述了电场对光电发射的影响.许多阴极在外电场的作用下会降低表面功函数,光电发射的阈值波长会延伸,长波响应也会增大.高阻值碱金属化合物阴极在光电发射过程中由于内电
本文综述了紫红樱桃色六硼化镧粉末的制造过程以及间热式、直热式六硼化镧阴极的结构和性能.着重指出了利用冷压、热压等手段制造出几种六硼化镧阴极结构及其更复杂形状可能
<正> 一、前言将非晶硒膜上施加高电场时发生的雪崩倍增现象应用于摄象管的光电变换膜 HARP 靶上,具有灵敏度高而且象质好的优良特性。笔者用这种 HARP 靶制过2/3英寸摄象管,