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本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铅（PWO）晶体；研究了提拉和坩埚下降两种技术生长PWO晶体的组份挥发，得到的结果是PbO的挥发速率高于WO3，并对一组晶体不同部位的X射线发光性能作了研究．
钨酸铅晶体生长及其组份挥发
【摘 要】
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本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铅（PWO）晶体；研究了提拉和坩埚下降两种技术生长PWO晶体的组份挥发，得到的结果是PbO的挥发速率高于WO3，并对一组晶体不同部位的X射线发光性
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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1997年03期
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