论文部分内容阅读
用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N,P型掺杂研究。,结果表明,杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程,所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×10^-16-4.0×10^19cm^-3及1.0×10^-7-2.0×10^19cm^-3,基于对N型Si外处材料中迁移率与杂质浓度,温度的关系,我们用Klaassen实验结果进行拟合,分