【摘 要】
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利用射频磁控和直流磁控共溅射的方法制备了金属Y掺杂的Mo-N薄膜.对制备的薄膜样品进行元素组成、微观结构、表面形貌、摩擦学性质分析显示:薄膜的择优取向由未掺杂时的γ-Mo
【机 构】
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延边大学 理学院,吉林 延吉 133002
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利用射频磁控和直流磁控共溅射的方法制备了金属Y掺杂的Mo-N薄膜.对制备的薄膜样品进行元素组成、微观结构、表面形貌、摩擦学性质分析显示:薄膜的择优取向由未掺杂时的γ-Mo2 N(111)改变为Y掺杂后的γ-Mo2 N(200).与未掺杂的Mo-N薄膜相比较,所制备的MoYN薄膜的硬度明显降低,但耐磨性和平均摩擦系数均有所改善.其中Y掺杂含量为9.44at％时,薄膜的耐磨性为最佳,平均摩擦系数为最小(0.283),硬度为(24.13±3.15)GPa.
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