【摘 要】
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采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(F
【机 构】
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南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
【基金项目】
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国家重点研发计划(2016YFB0400600,2016YFB0400601), 江西省自然科学基金(2015BAB207053), 江西省重大研发专项(20165ABC28007)资助项目
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采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(FL)对晶体质量进行了表征,使用电致发光系统积分球测试对光电性能进行了表征。结果表明:随着气压升高,In的并入量略有降低且均匀性更好,量子阱中的点缺陷数目降低,但是阱垒间界面质量有所下降。在实验选取的4个气压4,6.65,10,13.3 k Pa下,外量子效率最大值随着量子阱生长气压的上升而显著升高,分别为16.60
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