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将二次阳极氧化法应用于硅基铝膜的制备，在草酸溶液中得到了厚度可控的硅基超薄多孔氧化铝膜（PAM），厚度小于100nm．实验中记录了氧化电流随时间的实时变化曲线，发现硅衬底的氧化电流在大幅下降前有一小幅波动．对应于Al／Si界面的氧化过程中，孔洞底部之间的残留铝岛被优先氧化，可将此作为终止铝氧化的标志．扫描电镜（SEM）观察表明，二次氧化提高了孔洞分布的均匀性，使得孔在一定的区域内呈现有序六角分布．这种模板可进一步用于硅基纳米器件和纳米结构的制备．