高性能Bi^3＋掺杂改性PbO2电极的制备及表征

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangzexv001

【摘要】

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采用电沉积法制备了金属Bi3＋改性PbO2（Bi-PbO2）电极,并通过扫描电镜（SEM）、X射线能谱（EDS）、X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、紫外-可见漫反射（UV-VisDRS）、荧光光谱（FP）、莫特-肖特

【作者】

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杨卫华杨武涛林小燕

【机构】

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华侨大学材料科学与工程学院

【出处】

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物理化学学报

【发表日期】

：

2012年4期

【关键词】

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铋二氧化铅禁带宽度平带电势电催化活性 Bismuth Lead dioxide Bandgap Flatband potential Elect

【基金项目】

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国家自然科学基金（21103055）和华侨大学基本科研业务专项基金（JB-ZR1139）资助项目

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采用电沉积法制备了金属Bi3＋改性PbO2（Bi-PbO2）电极,并通过扫描电镜（SEM）、X射线能谱（EDS）、X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、紫外-可见漫反射（UV-VisDRS）、荧光光谱（FP）、莫特-肖特基（Mott-Schottky）曲线、电化学阻抗谱（EIS）和线性极化扫描（LSV）等方法表征了其微结构和电化学性能.SEM、EDS和XPS结果表明,Bi3＋以Bi2O3的形式掺杂进入PbO2镀层,同时其掺杂改性可明显改善PbO2镀层的微结构,使电极表面颗粒细化;XRD和UV-

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