【摘 要】
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在玻璃基底上镀35 nm厚的ITO薄膜,通过椭偏仪测量ITO薄膜的线性介电常数.由于ITO具有高掺杂浓度,因此其介电常数可以用Drude模型来进行量化计算,得到其介电常数近零(ENZ)波长约为λ=1 100 nm.借助双温模型计算电子温度和晶格温度随时间的变化,根据电子温度的升高计算等离子体频率的变化,将其带入Drude模型中,可以得到一个新的介电常数,最后可以通过计算折射率的变化,从而求出非线性折射率n2.计算结果表明,在ENZ波长入射时,可以得到最大非线性折射率n2=4.66×10-15 m2/W.因
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院,广州510006
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在玻璃基底上镀35 nm厚的ITO薄膜,通过椭偏仪测量ITO薄膜的线性介电常数.由于ITO具有高掺杂浓度,因此其介电常数可以用Drude模型来进行量化计算,得到其介电常数近零(ENZ)波长约为λ=1 100 nm.借助双温模型计算电子温度和晶格温度随时间的变化,根据电子温度的升高计算等离子体频率的变化,将其带入Drude模型中,可以得到一个新的介电常数,最后可以通过计算折射率的变化,从而求出非线性折射率n2.计算结果表明,在ENZ波长入射时,可以得到最大非线性折射率n2=4.66×10-15 m2/W.因此,实验中选取的材料可在低功率光照下得到显著的折射率变化,可望应用于全光存储、全光开关等纳米光子器件的设计.
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