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通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于７０Ω·ｃｍ，升阻比超过１０＾６，烧结温度可以降低至１１００℃以下。
（Sr,Pb）TiO3陶瓷的PTCR现象
【摘 要】
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通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于７０Ω·ｃｍ，升阻比超过１０＾６，烧结温度可以降低至１１００℃以下。
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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1996年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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