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在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVD SiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40 nm左右基本可以阻挡95%的N＋S/D As注入剂量而保留80%的