【摘 要】
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铝线条条和硅氧化物通孔刻蚀后,传统上都是使用包含胺,重金属结合剂,表面活性剂及其他成分进行清洗.这些混合剂是用来高效去除刻蚀后残留物的,而不会对硅氧化物介质造成过量
【机 构】
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三星电子,FSIInternational公司
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铝线条条和硅氧化物通孔刻蚀后,传统上都是使用包含胺,重金属结合剂,表面活性剂及其他成分进行清洗.这些混合剂是用来高效去除刻蚀后残留物的,而不会对硅氧化物介质造成过量的刻蚀,也不会破坏或进一步腐蚀铝.羟胺(许多此类溶解混合物的主要成分)所带来的供应、成本和残留物等问题,促使集成电路制造商寻求可替换的清洗化学试剂. 在集成电路制造的过程中,在只使用硅和硅氧化物的时期,使用浓缩和稀释的酸混合物用来清洗硅晶已有十多年的历史了.但是,当出现了铝或其他金属后,不能使用浓缩酸进行清洗,因为会对金属产生过量的破坏.近来,
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