【摘 要】
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研究了MOCVI(MetalOrganicChemicalVaporInfiltration)方法制备Nextel72 0 /SiO2 复合材料的工艺理论基础 ,分析了载气流量、先驱体TEOS(正硅酸乙酯 )温度、沉积温度和氧气浓
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室!陕西西安710072,西北工业大学凝固技术国家重点实验室!陕西西安710072,西北工业大学凝固技术国家重点实验室!陕西西安710072,西北工业大学凝固技术国家重
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研究了MOCVI(MetalOrganicChemicalVaporInfiltration)方法制备Nextel72 0 /SiO2 复合材料的工艺理论基础 ,分析了载气流量、先驱体TEOS(正硅酸乙酯 )温度、沉积温度和氧气浓度对氧化硅基体沉积速率和Nextel72 0 /SiO2 复合材料显微结构的影响。结果表明 ,TEOS 6 0℃ ,O2 流量 30ml·min-1,载气流量 40 0ml·min-1,沉积温度 6 0 0℃为复合材料最佳制备条件
The theoretical basis of the process of preparing Nextel72 0 / SiO2 composite by MOCVI (Metal Organic Chemical Vapor Infiltration) method was studied. The effects of carrier gas flow rate, precursor TEOS temperature, deposition temperature and oxygen concentration on the deposition rate of silica substrate and Nextel72 0 / SiO2 composite microstructure. The results show that the best preparation conditions of TEOS at 60 ℃, O2 flow rate 30ml · min-1, carrier gas flow rate 40 0ml · min-1 and deposition temperature 600 ℃
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