一种低功耗32 nm CMOS分数-N频率合成器设计

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为了减少频率合成器的工作能耗,提出了一种新型低功耗的分数-N频率合成器。该合成器消除了电源电压、工艺偏差和温度变化(PVT)对电容的影响,能够产生中等精度时钟脉冲震荡且具有较低的芯片面积。该合成器通过采用频率-电流转换电路,将电路的输出频率与电容比成正比。采用32 nm CMOS工艺对提出电路进行了制作。测试结果显示,相比其他类似合成器,提出合成器的功耗和面积更低,总面积仅仅为0.006 5 mm2,在0.9 V电源电压条件下,功率仅损耗为108μW。使用4 MHz参考时钟时,输出频率范围为18 MHz~156 MHz,频率分辨率为0.8 MHz。
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