【摘 要】
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采用脉冲直流电化学沉积的方法,通过调节沉积液的p H值在氧化铝模板中制备了一系列的不同结晶取向的Fe纳米线阵列。随着p H值由2.8增大到5.5,Fe纳米线逐渐从多晶Fe转变为具有
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采用脉冲直流电化学沉积的方法,通过调节沉积液的p H值在氧化铝模板中制备了一系列的不同结晶取向的Fe纳米线阵列。随着p H值由2.8增大到5.5,Fe纳米线逐渐从多晶Fe转变为具有不同择优取向的Fe纳米线,并在p H值为4.3时,获得了具有（110）取向的单晶纳米线阵列。通过对纳米线阵列磁性研究发现,Fe纳米线取向性的调控能有效调控纳米线阵列的磁性能。在沉积液p H值为3.4时,所制备的Fe纳米线具有（200）择优取向,此时纳米线阵列的磁晶各向异性与形状各向异性均沿纳米线的生长方向,纳米线取得了最大的垂直
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