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提出了一个包含版图分布参数和引线寄生参数在内的微波功率HBT的宏模型，建立了通过微波仿真进行器件结构优化的技术方法。基于以上模型和方法，较为全面地评估了实际器件中各寄生参数对器件输出功率的影响，继而提出了片上功率合成的层级式技术方案。数值计算指出，采用该方案，在相同版图面积并且器件的线性度等关键性指标得到保证的情况下，可有效地提高SiGe HBT的功率容量。