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基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ｐＨ－ＩＳＦＥＴ／压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统，以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实现敏感元和信号处理电路的完全隔离，又有效地改善了敏感性和稳定性。初步实验结果证实了新结构设计是成功的。