磷化铟单晶片抛光工艺研究

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磷化铟是制作高速器件和电路、光电集成电路的重要衬底材料,其抛光片的表面质量对后续的外延及器件性能有着重要的影响。表面粗糙度作为表征表面质量的重要参数指标,需要在抛光过程中严格控制。分析了磷化铟单晶片的抛光机理,通过对比不同抛光工艺条件下的表面粗糙度状况,分析了抛光布表面结构对晶片表面粗糙度的影响,通过改进精抛布表面结构,加工出了表面粗糙度小于0.3nm的磷化铟双面抛光片。
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