层状半导体MoSe_2/WSe_2热学性能参数定量分析

来源 :吉首大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:highbird51426
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利用键弛豫理论与局域键平均近似方法对过渡金属MoSe2和WSe2的热学参数进行了定量分析,建立了热膨胀系数、晶格常数、热应变分别与温度的函数关系式,揭示了层状半导体材料热学参量的温度效应物理机制,并获得了块体MoSe2和WSe2的德拜温度分别为276,260 K.实验结果表明,热膨胀系数与德拜比热成正比,与原子结合能成反比;温度高于材料的德拜温度的1/3时,晶格常数、热应变与温度呈线性关系.
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