【摘 要】
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采用物理气相沉积（PVD）法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取
【机 构】
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南开大学电子信息与光学工程学院电子科学与工程系; 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;
【基金项目】
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Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2011AA050513);National Basic Research Program of China(2012CB934201)
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采用物理气相沉积（PVD）法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb（111）晶向转变为GaSb（220）晶向,这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为（220）晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104cm-1以上,适用于热光伏薄膜太阳电池中.
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