Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜的取向生长及其铁电介电特性研究

来源 :第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ZNZXCTH

【摘要】

：

【作者】

：

乔燕陈晓琴祁亚军卢朝靖朱劲松

【机构】

：

湖北大学物理学与电子技术学院,武汉,430062;江汉大学物理与电子信息工程学院,武汉,430056

【出处】

：

第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

铁电薄膜取向生长晶粒取向介电性能自发极化

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用sol-gel工艺直接在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出了a轴择优取向(α(100)=62％)和高c轴取向(α(100)=96％)的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)薄膜.发现BNdT薄膜的铁电介电性能强烈依赖于晶粒取向.a轴择优取向BNdT薄膜的2Pr和εr值最高,分别为65μC/cm2和343(100kHz处);随机取向薄膜的2Pr和εr值为34μCcm2和331;而高c轴取向薄膜的2Pr和εr值最低,分别为23μC/cm2和218.上述结果表明,BNdT的自发极化矢量靠近a轴.纯a轴取向BNdT薄膜的2Pr值可估算为84μC/cm2.

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