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本文采用荧光窄化技术，对低组分的ＧａＡｓ１－ｘＰ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）混晶材料中Ｎｘ束缚激子的声子伴线进行了研究，在低温下，造反激发Ｎｘ带时，我们得到了与ＧａＰ：Ｎ低温发光谱中类似的声子伴线结构，根据实验结果，给出了混晶中各种声子能量，另外，对组分为ｘ＝０．７６的ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ混晶样品，我们还首次观察并分析了多声子重视光谱。