【摘 要】
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运用密度泛函理论,计算了SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体
【基金项目】
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湖北省自然科学基金(2014CFB342,2014CFB619);湖北民族学院博士科研启动基金(MY2013B020)
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运用密度泛函理论,计算了SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体系的固溶度。能带结构表明,SbZn体系为n型间接带隙半导体材料;NaZn、SbZn-2NaZn体系为p型半导体材料;SbZn-NaZn、SbZn-3NaZn体系为本征半导体材料.对p型半导体材料体系的导电性能研究发现,SbZn-2NaZn体系电导率大于NaZn体系的电导率,即SbZn-2NaZn掺
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