高介电栅介质ZrO_2薄膜的物理电学性能

来源 :河北大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：lho001

【摘要】

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采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效

【作者】

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武德起姚金城赵红生常爱民李锋周阳

【机构】

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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院半导体所,中国科学院研究生院,河北大学物理科学与技术学院

【出处】

：

河北大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2009年5期

【关键词】

：

ZRO2薄膜高介电栅介质等效厚度漏电流 ZrO2 film high-κ gate dielectrics equivalent oxide thic

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采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10^-4A/cm^2.

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