【摘 要】
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在１０－３００Ｋ的温度范围内，测量了用液封直拉法（ＬＥＣ）生长的ｎ－ＩｎＰ经高温退火后形成的未掺杂ＳＩ－ＩｎＰ晶体的正电子寿命谱，用ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明，ＳＩ－ＩｎＰ中存在甸空位ＶＩｎ或与杂质的复合体缺陷
【机 构】
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武汉大学物理学系,河北半导体研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!( 695 760 2 0 )
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在１０－３００Ｋ的温度范围内，测量了用液封直拉法（ＬＥＣ）生长的ｎ－ＩｎＰ经高温退火后形成的未掺杂ＳＩ－ＩｎＰ晶体的正电子寿命谱，用ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明，ＳＩ－ＩｎＰ中存在甸空位ＶＩｎ或与杂质的复合体缺陷。观察到在１０－２２０Ｋ之间正电子的平均寿命τｍ随温度的升高而减小，表明上述缺陷是带负电荷的铟空位ＶＩｎ的氢复合体；但是在低温下还存在正电子浅捕获态。
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