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利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS).阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源.根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm.这个结果在0.005 nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217 nm)和Slab模型计算的结果(0.208 nm)合理地联系起来.此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键